收藏本站
New Product
SiA511DJ
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Notes:
0.1
0.05
0.02
P DM
t 1
t 1
t 2
t 2
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 85 °C/W
0.01
Single Pulse
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Document Number: 74592
S-80436-Rev. B, 03-Mar-08
www.vishay.com
7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIA513DJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6
SIA533EDJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
SIA777EDJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L
SIA811DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
SIA814DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
SIA911EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
SIA914DJ-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6
SIA917DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
相关代理商/技术参数
SIA513DJ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA513DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 60/110mohms@4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA517DJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SiA517DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 4.5A 6.5W 29/61mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA519EDJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA519EDJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA533EDJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SIA533EDJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube